少，很多时候可能一个小时过去了，好不容易找到了几篇相关的文献，但最后发现都没什么用，解决不了问题。
当然，也不是每次经过这番操作，都能解决实验失败的问题。
就比如这次，许秋一顿操作猛如虎，最终得出结论，PLAN A（计划A）扑街。
即基于实验室现有的设备，用银纳米线薄膜的这个方法制备半透明器件的顶电极并不合适。
不过，许秋丝毫不慌。
因为他还有PLAN B，所以他也懒得去优化银纳米线制备工艺了，直接暂时放弃PLAN A，先用薄层金属电极的方法搞起，日后如果有需要的话，再重新尝试也不迟。
在正式的实验之前，许秋对现有的半透明器件文献做了一个简单的总结。
他发现半透明器件这个概念在好几年前就有了，文献也不少，光一区二区的文章就有十多篇，不少都是国外一个大组Yang Yang发表的。
不过，之前只有富勒烯的体系，虽然可见光范围内的平均透过率（AVT）可以做的很高，最高甚至能达到50%，但效率（PCE）一直上不去。
光有AVT，没有PCE，这就和“只要面子，没有里子”差不多，就比如50%的AVT配上1%的PCE，没什么太大的意义，光伏器件最终还是得回归到效率的比拼上。
目前，性能最好的一个工作是基于PCE10:PCBM的半透明器件，效率只有7%，AVT也只有25%，他们采用的电极是薄层的10纳米银电极。
正式实验的时候，许秋尝试了三种薄层电极，分别是常用的金、银、铝，以PCE10:IEICO-4F和PCE10:FNIC-4F两个体系作为标样，制备了不同厚度金属电极的器件，从5纳米到正常的100纳米不等。
最终的结果，以PCE10:IEICO-4F体系为例。
电极厚度在100纳米条件下，金、银、铝电极，器件最高效率分别为12.3%、12.4%和12.5%，三种电极的器件效率相当。此时器件的AVT约为0，即器件几乎完全不透过可见光。
50纳米条件下，最高效率分别为12.0%、12.1%和12.0%，三种电极的器件效率仍然相当。此时器件的AVT同样约为0。
30纳米条件下，最高效率分别为10.8%、11.0%和6.2%，三种电极的器件效率产生分化，其中金、银作为电极的器件，
当然，也不是每次经过这番操作，都能解决实验失败的问题。
就比如这次，许秋一顿操作猛如虎，最终得出结论，PLAN A（计划A）扑街。
即基于实验室现有的设备，用银纳米线薄膜的这个方法制备半透明器件的顶电极并不合适。
不过，许秋丝毫不慌。
因为他还有PLAN B，所以他也懒得去优化银纳米线制备工艺了，直接暂时放弃PLAN A，先用薄层金属电极的方法搞起，日后如果有需要的话，再重新尝试也不迟。
在正式的实验之前，许秋对现有的半透明器件文献做了一个简单的总结。
他发现半透明器件这个概念在好几年前就有了，文献也不少，光一区二区的文章就有十多篇，不少都是国外一个大组Yang Yang发表的。
不过，之前只有富勒烯的体系，虽然可见光范围内的平均透过率（AVT）可以做的很高，最高甚至能达到50%，但效率（PCE）一直上不去。
光有AVT，没有PCE，这就和“只要面子，没有里子”差不多，就比如50%的AVT配上1%的PCE，没什么太大的意义，光伏器件最终还是得回归到效率的比拼上。
目前，性能最好的一个工作是基于PCE10:PCBM的半透明器件，效率只有7%，AVT也只有25%，他们采用的电极是薄层的10纳米银电极。
正式实验的时候，许秋尝试了三种薄层电极，分别是常用的金、银、铝，以PCE10:IEICO-4F和PCE10:FNIC-4F两个体系作为标样，制备了不同厚度金属电极的器件，从5纳米到正常的100纳米不等。
最终的结果，以PCE10:IEICO-4F体系为例。
电极厚度在100纳米条件下，金、银、铝电极，器件最高效率分别为12.3%、12.4%和12.5%，三种电极的器件效率相当。此时器件的AVT约为0，即器件几乎完全不透过可见光。
50纳米条件下，最高效率分别为12.0%、12.1%和12.0%，三种电极的器件效率仍然相当。此时器件的AVT同样约为0。
30纳米条件下，最高效率分别为10.8%、11.0%和6.2%，三种电极的器件效率产生分化，其中金、银作为电极的器件，
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